Il futuro dei semiconduttori è stato delineato e deciso. Una prova di ciò è il settore Business Semiconductors di Samsung Electronics che illustrato cosa ci attende da qui in avanti all’interno di una dettagliata roadmap, si andrà dal processo a 8 nanometri all’processo dei FD-SOI dedicato alle soluzioni per l’Internet of Things, tutto il settore verrà letteralmente rivoluzionato.

La corsa alla produzione di chip sempre più prestazionali da introdurre all’interno di dispositivi sempre connessi e “always on” ha dato un notevole impulso all’innovazione.

Samsung in tutto ciò si pone in prima linea per l’implementazione di nuove soluzioni innovative.

Il primo processo su cui l’azienda sud coreana lavorerà sarà quello a 8nm Low Power Plus, sarà un ponte per il passaggio alla litografia EUV (Extreme Ultra Violet) che segnerà un punto di svolta nella produzione dei semiconduttori. Si tratta di una tecnologia simile a quella a 10nm, caratterizzata però da prestazioni superiori.

Jong Shik Yoon, Executive VP del Foundry Business di Samsung Electronics, ci spiega in due frasi cosa ci aspetterà in questo futuro.

“La natura onnipresente di macchine smart sempre connesse e di dispositivi di consumo quotidiani segna l’inizio della prossima rivoluzione industriale”

“Per competere con successo nel veloce ambiente di business dei giorni nostri, i nostri clienti necessitano di un partner di fonderia che abbia una completa roadmap in merito ai nodi di processo avanzati per il raggiungimento dei loro obiettivi di business”..

Il secondo step riguarderà il passaggio alla produzione a 7nm Low Power Plus, la prima tecnologia che utilizzerà la litografia EUV e che consentirà di oltrepassare le barriere del ridimensionamento previste dalla legge di Moore.

Poi con il passaggio a 6nm Low Power Plus avremmo ridimensionamenti a larga scala e notevoli benefici in termini di consumo, che implementerann le soluzioni Smart Scaling sviluppate da Samsung.

La roadmap prevede poi l’implementazione dei processi a 5nm Low Power Plus, in cui si supererà il limite imposto dalla struttura FinFET in termini di ridimensionamento e consumo, e del 4nm Low Power Plus, vera e propria generazione 0 per quanto riguarda la sua architettura – denominata MBFET (Multi Bridge Channel FET).

MBFET sarà veramente innovativo e impiegherà un dispositivo dotato di una nanostruttura bi-dimensionale per oltrepassare le limitazioni dimensionali e di prestazioni imposte dall’architettura FinFET.

Ultimo processo sarà il FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator), il futuro dei semiconduttori. Questo sarà implementato in modo specifico per il funzionamento di prodotti per l’IoT, e prevede l’espansione del processo tecnologico 28FDS verso una più ampia offerta della piattaforma che includerà opzioni RF (Radio Frequency) e eMRAM (embedded Magnetic Random Access Memory) dirigendosi verso il nodo di prossima generazione 18FDS.

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